Y50KFG, Nicht symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

T j (℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

I T (AV )

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt,

T C =55℃

125

1200

A

T C =70℃

125

1000

A

V DRM

Repetitive spitzenausschaltspannung

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Repetitive spitzenrückwärtsspannung

1000

2500

I DRM /IRRM

Repetitive spitzenstrom

bei V DRM /VRRM

125

80

mA

I TSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinus welle V R =0.6 V RRM

125

16

kA

I 2t

I 2t für ver fusion koordination

1280

103A 2s

V Bis zu

Schwellenspannung

125

1.55

V

r T

Einschaltsteigungswiderstand

0.40

mΩ

V TM

Spitzeneinschaltspannung

I TM =3000A, F=24kN

20≤ tq ≤ 35

25

2.80

V

36≤ tq ≤ 60

2.60

V

61≤ tq ≤ 75

2.40

V

dv/dt

Kritische Anstiegsrate des Ausschaltzustands spannung

V Dm =0.67 V DRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltzustands aktuell (Nicht-wiederholend)

V Dm = 67% V DRM bis zu 1600A,

Gate-Puls t r ≤0.5μs I GM =1.5A

125

1500

A/μs

Q rR

Einziehungsgebühr

I TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V

125

750

μC

tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

I TM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

100

20

75

μs

I GT

Gate-Auslöseström

V A =12V, I A =1A

25

40

300

mA

V GT

Gate-Auslösespannung

0.9

3.0

V

I H

Haltestrom

20

500

mA

I L

Haltestrom

500

mA

V GD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

V Dm =67% V DRM

125

0.3

V

R th (j-c)

Thermal widerstand Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

doppelte Seite gekühlt Klemmkraft 24kN

0.020

℃ /W

R th (c-h)

Thermal widerstand gehäuse zu wärmeableiter

0.005

K m

Montagekraft

19

26

kN

T vj

Junction-Temperatur

-40

125

℃

T stg

Lagertemperatur

-40

140

℃

W t

Gewicht

440

g

Gliederung

KT50cT