GD900HFX120P1SA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

1522

900

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

5.24

kW

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

900

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =900A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =900A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =900A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =22.5 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.63

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

93.2

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

2.61

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R G =1.6Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

214

nS

t r

Aufstiegszeit

150

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

721

nS

t k

Herbstzeit

206

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

76

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

128

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R G =1.6Ω,

V GE =±15V, T j =125 o C

235

nS

t r

Aufstiegszeit

161

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

824

nS

t k

Herbstzeit

412

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

107

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

165

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R G =1.6Ω,

V GE =±15V, T j =150 o C

235

nS

t r

Aufstiegszeit

161

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

876

nS

t k

Herbstzeit

464

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

112

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

180

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

3600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =900A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.25

V

I K =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.85

I K =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.80

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

86

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

475

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.1

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 125o C

143

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

618

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.3

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 150o C

185

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

665

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

75.1

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung von R 100

T C = 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

18

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.30

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

28.6

51.9

K/kW

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

825

g