Modulo IGBT, GD950HTX75P6HBT Starpower

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato renta

950

A

Io C

Corrente del collettore @ T F =110 o C

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1900

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T j = 175 o C

1162

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

Io FN

Collettore Cu implementato renta

950

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1900

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.25

1.50

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.35

Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 175 o C

1.40

Io C =950A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.60

Io C =950A,V GE = 15V, T j = 175 o C

2.05

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.0

5.7

7.0

V

Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j = 175 o C

3.5

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

C - Non

Capacità di uscita

1.80

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.18

nF

Q G

Importo della porta

V CE =400V,I C =450A, V GE =-8... +15V

3.01

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, L S = 24 nH V GE =-8V/+15V,

T j = 25 o C

126

nS

t r

Tempo di risalita

62

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

639

nS

t f

Tempo di caduta

149

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

17.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

25.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, L S = 24 nH V GE =-8V/+15V,

T j = 150 o C

136

nS

t r

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

715

nS

t f

Tempo di caduta

221

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

22.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

31.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, L S = 24 nH V GE =-8V/+15V,

T j = 175 o C

138

nS

t r

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

739

nS

t f

Tempo di caduta

227

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

24.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

32.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

5100

A

T j = 25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs, V GE = 15V,

T j = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.40

1.65

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

Io F =950A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.75

Io F =950A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.75

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7070A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 25 o C

16.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

254

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

5.03

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6150A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C

36.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

320

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.49

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6010A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 175 o C

40.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

338

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

10.5

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

8

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.75

mΩ

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

T piastra di base < 40 o C

T piastra di base 40o C

(pressione relativa)

2.5 2.0

bar

R thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.075 0.118

0.086 0.136

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g